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CCT高压贴片电容专注生产研发二十年

发布时间 2016-12-11 收藏 分享
价格 220.00
品牌 CCT TDK
区域 全国
来源 深圳市宸远电子科技有限公司

详情描述:

CCT高压贴片电容专注生产研发二十年

高压贴片电容器规格、工作电压及容量范围全面

直流中高压贴片电容

中高压多层片状陶瓷电容器是在多层片状陶瓷电容器的工艺技术、设备基础上,通过采用特殊设计制作出来的一种具有良好耐压,高可靠性的产品。该产品适合于表面贴装,适合于多种直流电压线路,可以有效地改善电子线路的性能。

特性

叠层独石结构

体积小,电容量高,能在高电压下工作

具有良好的可焊性和耐焊性。

技术指标

额定电压

测试电压

大充电电流

测试时间

≤1000V

1.5倍额定电压

50MA

5S

1000V~2000V

1.2倍额定电压

50MA

5S

≥2000V

1.2倍额定电压

10MA

5S

应用

用作DC-DC转换器的热-冷耦合。

用于电话、传真机及制解调器的线路滤波器及振铃检测器。

用于切换电源的二极管缓衡电路上。

产品规格型号表示方法

1206 CG 100 J 202 N T

1 2 3 4 5 6 7

1

型号

0402

0603

0603

0.6*0.3

1.6*0.8

0805

0.08*0.05

2.0*1.25

1206

0.12*0.06

3.20*1.25

1210

0.12*0.1

3.2*2.5

1808

0.18*0.08

4.5*2.0

1812

0.18*0.12

4.5*3.2

2225

0.22*0.25

5.7*6.3

2

介质种类

COG

X7R

Y5V

3

标称容量

表示方法

实际值

100

10*100

101

10*101

102

10*102

4

误差级别

代码

误差

J

?5%

K

?10%

5

工作电压

表示方法

实际电压

6R3

6.3V

500

50V

101

100V

501

500V

6

端头类别

表示方法

端头材料

S

纯银端头

C

纯铜端头

N

三层电镀端头

7

包装方式

表示方法

包装

无标记

袋装散包装

T

边带包装

B

塑料盒散包装

电容量范围

尺寸

工作电压

电容量范围(PF)

 

 

NPO

X7R

Y5V

0603

100V

0.5~820

100~10000

2200~100000

200V

0.5~470

100~6800

-------------

0805

100V

0.5~1500

150~1000000

10000~100000

200V

0.5~1500

150~22000

10000~56000

250V

0.5~1500

150~22000

10000~56000

500

0.5~560

150~10000

--------------

1206

100

0.5~3300

150~220000

10000~330000

200

0.5~2700

150~120000

10000~150000

250

0.5~2700

150~120000

10000~150000

500V

0.5~1500

150~33000

-----------

1000V

0.5~750

150~10000

-----------

2000V

0.5~270

150~2200

-----------

1210

100V

10~4700

150`470000

10000~820000

200V

10~3300

150~220000

10000~470000

250V

10~3300

150~220000

10000~470000

500V

10~22000

150~33000

-----------

1000V

10~1000

150~10000

-----------

2000V

10~~470

150~6800

-----------

1808

100V

10~4700

150~220000

10000~820000

200V

10~3300

150~100000

10000~390000

250V

10~3300

150~100000

10000~390000

500V

10~1800

150~56000

-----------

1000V

10~820

150~15000

-----------

1808

2000V

10~470

150~10000

 

3000V

10~470

150~22000

 

4000V

10~220

150~1000

 

5000V

10~22

 

 

1812

100V

10~10000

150~330000

10000~1000000

200V

10~5600

150~150000

10000~470000

250V

10~5600

150~150000

10000~470000

500V

10~3900

150~120000

-----------

1000V

10~1200

150~27000

-----------

2000V

10~680

150~12000

-----------

3000V

10~470

150~4700

-----------

4000V

10~220

150~3300

-----------

5000V

10~68

 

 

2225

100V

10~27000

150~1000000

10000~2000000

200V

10~12000

150~470000

10000~680000

250V

10~12000

150~470000

10000~680000

500V

10~6800

150~330000

-----------

1000V

10~2200

150~56000

-----------

2000V

10~1000

150~33000

-----------

3000V

10~680

150~12000

-----------

4000V

10~560

150~10000

-----------

 

 

 

 

高压贴片电容如何理解绝缘电阻IR

高压贴片电容如何理解绝缘电阻IR

绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。

绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。在氧化物陶瓷中,如钛酸盐,通过缺陷化学计量,也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载 流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位置(空位)和填隙离子。例如,一个Al3 阳离子取代一个 TP的位置,产生一个净负电荷。同样,如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价, 也会产生一个净正电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现,剧烈 的还原将会使钛酸盐的电阻率降低,显示出半导体性质。

填隙离子的出现是由于离子具有一定的随机移动性,这种移动性与温度有关;温度升高能使离子获 得更大的热能以克服能垒的作用,离子扩散程度加剧。在外加电场作用下,扩散不再是随机的,而 是沿着电场电位梯度方向,从而产生漏电流。

因此,高压贴片电容的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55?C)到(125?C)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。

测量高压贴片电容缘电阻的时候需要重点考虑的是绝缘电阻与电容量的关系。电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低。这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明。欧姆定律表述了导体中电流(I),电压(V)和电阻(R)之间的关 系:

I = v/r

但是,电阻(R)是一个与尺寸有关的物理量,也与材料本征的电阻率有关,如下所示:

R = pL/A 这里l=导体长度 a=导体横截面积 因此电流(I)可以表示为:

I = VA/pL

考虑到陶瓷电容器中通过绝缘体的漏电流(1)也可用上述关系式表示:

I = va,/ p t

这里v=测试电压 a,=有效电极面积 p=介质电阻率 t=介质层厚度从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极面积,反比于介 质层厚度(和电阻率),艮P: i A,/t类似地,电容量(C)正比于有效电极面积,反比于介质层厚度,艮P:C = KA,/4.452t 这里K=介电常数 A,=有效电极面积 t=介质层厚度,因此C A’/t 以及 i a C漏电流(i)与绝缘电阻成反比,艮P:ir i/c

基于上述关系,可以归纳出以下几点:

(a)绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压: i = VA7 Pt 或 IR = p t/VA

(b)对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(P),也依赖于材 料配方和测量时的温度。

(c)电容器绝缘电阻(IR)的测量值与电容量成反比,也就是说,IR是电容量的函数,因此,工业 应用中产品IR的小标准是由电阻(R)和容量(C) , (RXC),所决定的,如下表所示。EIA标 准要求产品在25?C时RXC超过1000欧姆-法拉(通常表示成1000兆欧-微法),在125?C时超过100 欧姆-法拉(仅为下表中数值的10%)。

通常,电介质具有很高的电阻值,测量时往往用10的高次方倍欧姆表示:

1太欧(TQ) = 1012欧姆 1吉欧(GQ) = 109欧姆 1兆欧(MQ ) = 106欧姆

除了材料和尺寸外,还有其他一些物理因素会对电容器的绝缘电阻产生影响。

(a)表面电阻率:由于表面吸收了杂质和水分,因此介质表面电阻率与体电阻率不一致。

(b)缺陷:介质是由多晶体陶瓷聚合体所组成,其微观结构中存在的晶界和气孔总会降低材料的本 征电阻率。从统计学角度来说,这些物理缺陷出现的几率与元件体积以及结构复杂程度是成正比的。 因此,对于尺寸更大,电极面积更大,电极层数越多的元件来说,其电阻率和绝缘强度均低于小尺寸元件。

 

联系人 张清芬
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